日前，中国电子学会公布了2021年度电子信息领域优秀科技论文遴选结果。威廉希尔williamhill官网量子材料科学中心2017级博士研究生葛军、2016级博士研究生刘彦昭为共同第一作者、王健教授为共同通讯作者的论文《高陈数和高温无朗道能级的量子霍尔效应》（High-Chern-number and high-temperature quantum Hall effect without Landau levels）榜上有名。
新一轮科技革命亟需出现物理学等领域的重大突破和新一代信息技术等领域的重大变革。当前制约集成电路集成度的核心难题在于器件工作中不可避免的发热。无耗散的拓扑边缘态可在宏观尺度保持电子的量子特征，从而用于设计和构筑基于全新原理的电子器件。然而，在前期量子反常霍尔效应（陈绝缘体态）研究中仅能观测到一个无耗散拓扑边缘态（陈数为1），且需要极低温的工作环境，这极大限制了其在低耗散电子器件等信息技术领域的应用。因此，如何提高工作温度以及如何实现多个无耗散手性边缘态，是陈绝缘体态研究的关键，也是实现拓扑量子物态实际应用的重要突破口。
王健课题组与合作者首次在本征磁性拓扑材料锰铋碲（MnBi2Te4）中发现了陈数为2的高陈数陈绝缘体态，以及工作温度高达45 K的高温陈绝缘体态，将这一量子态的工作温度提升了一个数量级。该研究为探索液氮温度乃至室温下的奇异拓扑量子物态和拓扑相变开辟了新途径，为未来物理、材料、信息科技领域的重大突破和变革奠定了基础。2020年4月底，上述工作发表于《国家科学评论》（National Science Review, 2020, 7(8): 1280-1287），迅速引起物理学和相关领域的广泛关注，并被《科学》以“调控陈数”（Tuning the Chern number）为题（Science, 2020, 368(6494): 962-963），作为亮点成果做了编辑精选报道（Editors’ Choice）。
为引导更多高水平电子信息领域科研成果在国内科技期刊或学术会议发表，中国电子学会自2019年起组织开展电子信息领域优秀科技论文遴选活动。本年度，收到相关高校、科研机构、期刊编辑部和专家推荐的近百篇推荐论文，经评审专家组分组函评和会评，最终确定10篇论文入选。
活动公告：https://www.cie.org.cn/site/content/4102.html
论文链接：https://academic.oup.com/nsr/article/7/8/1280/5827187
